2nm芯片竞争激烈，中芯国际却聚焦55nm工艺，外媒低估了中

　　作为全球排名前二的芯片制造企业，台积电和三星在先进工艺芯片市场争夺激烈，在突破了5nm工艺后，3nm、2nm甚至1nm工艺芯片市场的竞争也变得激烈起来。都知道，美发布的全新芯片法案，对台积电、三星等芯片巨头发出赴美建厂的邀请外，老美还限制了中国芯的发展。以台积电为例，目前台积电正在计划赴美建厂事宜，那么一旦台积电赴美建厂照计划执行，未来10年就不能在中国市场扩产先进工艺晶圆厂。
　　正如老美限制ASML公司向中国科技企业供应光刻机一样，先进的EUV光刻机不能供应，但过时的DUV光刻机随便卖。很显然，老美就是要拖慢中国芯的发展速度，不想中国科技企业有任何接触到先进制程工艺的机会。
　　面对老美的芯片打压，中国院士吴汉明曾经说过，不要被欧美国家牵着鼻子走，和先进工艺相比，中国芯片产业眼下最需要攻克的反而是成熟工艺。或许是吴院士的呼吁奏效了，中芯国际传来了好消息。
　　据悉，中芯国际在55nmBCD工艺方面实现了突破，目前已经进入试产阶段。此消息传出后，有外媒发出了感叹，低估了中国芯。可能有一些朋友看到这个消息会有疑惑，三星已经实现了3nm芯片的量产，台积电也将在9月份就启动3nm芯片的量产计划，并且这两家芯片巨头也确定了2025年实现2nm芯片量产的目标，而中芯国际只是实现了55nmBCD工艺的突破，有何了不起的？
　　首先，我们需要先了解什么是BCD工艺，简单一点理解，BCD工艺就是单片集成技术。在一颗芯片上需要集成B（Bipolar）C（CMOS）D（DMOS）三种元器件，目前欧洲国家的BCD工艺还停留在90nm水平，而中芯国际已经在55nm工艺水平取得突破，能不厉害吗？
　　其次，BCD工艺通常被使用于汽车、自动化、电视以及计算机等领域，集成度性能高，且功耗更低。中芯国际实现了55nmBCD工艺的突破后，就已经在行业内实现了领先，处于BCD工艺平台领域第一梯队，这是中国芯的又一大突破。
　　不可否认，台积电、三星等芯片企业在先进工艺芯片领域依然拥有很大的技术优势。但中国芯可怕的地方在于，发展速度惊人。虽然中国是全球芯片进口量最大的国家，但国内科技企业的芯片主流需求并非高端芯片，而是中低端芯片。
　　中芯国际在成熟工艺芯片市场手握大部分市场份额，并且还在不断扩建28nm以上成熟工艺晶圆厂，其目的只有一个，增加成熟工艺芯片产能，稳住国内成熟工艺芯片市场。只要我们能够实现中低端芯片的自给自足，那么就能很大程度降低对美芯片供应商的依赖，卡脖风险也就降低了。
　　虽然老美千方百计截断了中国芯接触先进工艺芯片技术的机会，但从一开始，老美的出发点就错了，我们目前的重点应该是成熟工艺芯片而非先进工艺芯片。不得不承认，老美的做法确实有点愚蠢！谁会没学会走路就开始跑呢？不怕摔跤吗？对此，你怎么看呢？欢迎评论留言！