IT之家6月13日消息，据AnandTech消息，英特尔现已分享了一些有关其下一代Intel4工艺的消息。
　　据报道，该工艺将用于2023年发布的产品，它是英特尔第一个采用EUV的工艺。
　　Intel4将首先用于英特尔即将推出的MeteorLake处理器，该处理器将属于英特尔第14代酷睿家族。除了在工艺技术上取得显着进步外，MeteorLake还将成为英特尔的第一个基于tilechiplet的客户端CPU，使用IO内核、CPU内核和GPU内核等tile模块。
　　英特尔公布的数据显示，Intel4的鳍片间距降至30纳米，是Intel7的34纳米间距尺寸的0。88倍。同样，接触栅之间的间距现在为50nm，低于之前的60nm。英特尔声称Intel4的密度是Intel7的2倍，或者更具体地说，晶体管的尺寸减少了一半。
　　此外，新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其Intel7工艺的最底层用钴代替了铜，该公司认为出于晶体管寿命的原因，这是必要的。然而，从性能的角度来看，钴并没有那么好，长期以来人们一直怀疑钴是英特尔Intel7的主要绊脚石之一。
　　对于Intel4，英特尔仍在使用钴，但现在他们使用的不是纯钴，而是所谓的增强铜（eCu），即铜包覆钴。
　　性能方面，报道称在0。65v的等功率下，Intel4的频率与Intel7相比提高了21。5。在0。85v及以上时，等功率增益接近10。
　　英特尔称，Intel4在电源效率方面的收益更大。在等频（2。1GHz左右）下，Intel4的功耗降低了40。随着频率的增加，收益递减。

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