IT之家1月24日消息根据外媒的报道,东芝内存公司(ToshibaMemoryCorporation)已开始对业界首款UFS3。0闪存嵌入式设备进行采样。新产品系列采用了该公司最先进的96层BiCSFLASH3D闪存,有三种容量可供选择:128GB,256GB和512GB。 据介绍,东芝宣布推出业界首款采用超快速通用闪存(UFS)3。0版技术的嵌入式闪存芯片。新的内存芯片面向智能手机,平板电脑和增强虚拟现实系统。 东芝表示,新芯片采用尖端的96层BiCSFLASH3D闪存技术,以及采用JEDEC标准11。5x13mm封装的控制器,均符合JEDECUFS3。0以及HSGEAR4标准,其理论接口速度高达每通道每秒11。6千兆位。通过两个通道,芯片可以达到23。2Gbps(2。9GBs)的峰值带宽。 东芝128GB芯片今天开始采样,搭载它的智能手机预计将在今年晚些时候上市。