前几天英特尔 CEO 在接受采访时表示自家的制程工艺虽然现在不如友商，但是未来就会成为遥遥领先的工艺，起码领先友商尤其是台积电 2 年。这让台积电这样的晶圆代工厂商十分地不满，表示英特尔这是在吹牛，通过内部评估，台积电的制程工艺要比英特尔更强。当然在 IEDM 2023 国际电子元件会议上，台积电自己也公布了最新的路线图，称将会在 2023 年实现 1nm 制程的量产，从而满足一块封装芯片内实现 1 万亿个晶体管的壮举。
目前台积电的最新工艺为 N3 也就是 3nm，已经应用在 A17 处理器上，主要是增加了能耗比，而到了 2025 年至 2027 年，工艺制程就准备冲击 N2 也就是 2nm，而这也是台积电与英特尔大打口水仗的制程，单芯片能够达到 1000 亿个晶体管，而整个芯片的封装最高可以达到 5000 亿个晶体管，已经远超现在的芯片。为了实现如此强大的制程，台积电将会采用 EUV 极紫外光刻、新材料、金属氧化物 ESL 等工艺，以及更加先进的封装技术。随后台积电开始学习英特尔的命名方法，将制程工艺命名为 A14、A10，应该这里的 A 就是埃的意思，也就是 0.1nm。
从台积电给出的路线图来看，终极工艺应该是 A10 也就是 1nm 工艺，在这个工艺上，台积电希望能够达成单核心 2000 亿个晶体管的壮举，而整个封装芯片更是可以达到 1 万亿个晶体管。目前半导体领域中，英伟达的计算卡 H100 拥有单芯片 800 亿个晶体管，也就是说 A10 工艺能够实现的晶体管数量是 H100 的 12.5 倍，而多芯片则是 AMD 的 MI300X，拥有 1350 亿个晶体管，A10 工艺的晶体管数量是其 7.4 倍。
而从目前给出的路线图来看，能够和台积电竞争的似乎只有英特尔，之前英特尔也表示将会在 2030 年实现一万亿个晶体管的壮举，似乎这两家是针锋相对。不过作为目前最为尖端的半导体工艺，制程的跳票并不是什么罕见的事情，加上制造成本的快速提升，届时如果能在 2023 年看到 A14 工艺，估计就谢天谢地了。
