据韩国媒体BusinessKorea周五报道,韩国半导体公司日益担心美国本月稍早通过的芯片法案,因为依据规定,一旦申请取得补贴,未来10年不得在包括中国大陆在内的指定地区扩大产能和投资,仅老式(legacy)制程不受此限,但该词定义不明,三星电子和SK海力士无法完全免于风险。 如果美国的禁令仅限于非存储芯片,韩国半导体公司的风险将趋近于零,因为三星电子和SK海力士都没在中国大陆生产非存储体晶片。三星的NANDFlash厂坐落在西安,封测设施在苏州。SK海力士的DRAM和NANDFlash工厂分别在无锡和大连。 如果禁令同时包含存储和非存储芯片,SK海力士会受影响,它的无锡厂量产10纳米晶片DRAM。三星电子的风险相对较低,因为NANDFlash存储芯片以堆叠的层数来计算,不是纳米。 不管哪种情况,这两家韩国半导体公司都无法完全免于风险,因为接受补助后的10年间,投资计划和活动都必须知会美国商务部,而这些多半是业务机密。 韩国美国芯片法案三星