5大笔记本厂商出货大跌三成良率提升，三星拟Q4扩产4nm

　　今日热点
　　1。SK海力士将238层V8NAND嫁接到UFS4。0最快明年上半年量产
　　2。4nm良率提升，三星计划Q4启动扩产
　　3。机构：7月前五大笔记本厂商出货量大跌三成
　　4。半导体代工市场Q2实现两位数的收益增长
　　5。上海新阳：KrF光刻胶产品已进入国内主流芯片制造公司
　　01hrSK海力士将238层V8NAND嫁接到UFS4。0最快明年上半年量产
　　据韩媒TheElec消息，SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。
　　UFS4。0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23。2Gbps，是之前UFS3。1的两倍。
　　SK海力士也制定了UFS4。0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4。0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。
　　02hr4nm良率提升，三星计划Q4启动扩产
　　据韩媒InfostockDaily报道，三星电子4nm良率提升，将在今年第四季扩产4nm产能，月产能将由目前的1。5万片提升至2万片；市场认为，虽然近来半导体产业受库存去化干扰，但先进制程需求仍强，三星为持续拉近与台积电的距离，积极扩产先进制程。
　　先前高通因采三星4nm制程生产的骁龙8Gen1良率出包、量产不顺，新一代旗舰芯片骁龙8Gen1Plus因此转投台积电怀抱；在三星掉大单的同时，也传出其4nm良率仅约35，而台积电的良率则超过70。不过，随着三星近来因应面临周期性市况波动的内存产业，为追求营运稳定成长，将更多资源往晶圆代工业务集中，4nm良率也有所提升，并趁胜追击，积极扩产以追赶台积电。
　　除提升4nm良率与产能规模外，三星6月底也宣布量产3nm制程，成为首家导入3nmGAA（环绕闸极技术）的公司，与台积电在先进制程上的竞争趋于白热化。
　　03hr机构：7月前五大笔记本厂商出货量大跌三成
　　据DIGITIMESResearch的最新数据显示，在全球经济恶化继续削弱市场需求。全球前5大笔记本电脑品牌（不包括苹果）在7月份的总出货量环比下滑28，同比下滑超过30。联想仍然是7月出货量最大的笔记本品牌，惠普的月度出货量下降幅度小于联想。戴尔7月在前五名中出货量降跌幅最小。
　　04hr半导体代工市场Q2实现两位数的收益增长
　　据市场调研机构StrategyAnalytics数据，2022年Q2半导体代工市场实现了两位数的收益增长。除英特尔外，其他晶圆代工厂均取得增长。台积电取得两位数的晶圆出货量增长，但其在成熟节点定价方面落后。格芯晶圆ASP目前接近3000美元。台积电和格芯均降低了资本支出，中芯国际和联华电子则保持预期。
　　05hr上海新阳：KrF光刻胶产品已进入国内主流芯片制造公司
　　近日，上海新阳在接受机构调研时表示，公司自主研发的光刻胶产品目前已有销售，其中KrF光刻胶产品通过认证的客户数量不断增加，已进入国内主流芯片制造公司，六月份开始批量连续供货，ArF光刻胶目前处于客户端认证阶段。用于存储器产品的蚀刻清洗液增长较多，且下一代蚀刻清洗液产品的技术迭代推进顺利，用于晶圆制造铜工艺的14nm清洗液产品实现量产。目前合肥一期项目基建工程已进入收尾阶段，机电安装正在进行中，预计三季度结束，年底进入试生产的阶段。