《科创板日报》(编辑郑远方),据台湾电子时报今日报道,存储芯片龙头厂美光、西部数据已将NAND闪存芯片价格上调约10。业内人士指出,这将导致后续现货及合约市场价格攀升。 值得注意的是,台湾经济日报上周已报道称,美光已大幅调升NAND闪存芯片合约价及现货价,前者涨幅1718、后者涨幅超25。美光也由此成为调价幅度最高的厂商。 此外,群联此前也曾表示将跟进涨价。 不过,铠侠、三星电子与SK海力士尚未大幅调升报价。而内存模块制造商则选择观望,不愿抛售在手芯片库存。 实际上,近期的存储市场中,涨价是多项产品的主流趋势。 其中,3DNANDFlash芯片现货价格大幅反弹;512GbTLC芯片价格已上涨6至4。45美元,;256Gb芯片价格约涨7,达2。30美元。同时,固态硬盘价格也在持续攀升,120GB、240GBSATA固态硬盘价格涨幅已超过3。 闪存芯片价格此前持续下跌,如今扭转颓势逐步看涨,源头依旧是铠侠和西部数据合资厂原物料污染事件。 西部数据预计,这将拉开至少6。5EB的闪存供应缺口。台湾电子时报上述报道援引消息人士信息称,合资厂产能可能需等到今年Q3才能恢复正常;预计本次事件造成的供应短缺将从4月开始扰乱产业链。 而此前市场预计,Q2闪存芯片报价单季跌幅将扩大至510,但近期已调整为上涨510。 值得注意的是,近日俄乌冲突升级,引发产业链对半导体关键原材料的供应稳定性担忧。多数芯片制造厂商认为已有储备在手,预计事件短期影响有限。不过,前述消息人士却表示,对不断上涨的制造成本抱有谨慎态度。