摊牌了？台积电正式宣布，ASML不愿看到的情况出现了

　　大家都知道，制造芯片最核心的设备就是光刻机，尤其是7nm及以下制程的芯片，对光刻机精度的要求非常高，目前只有ASML生产的EUV光刻机符合以上要求。
　　也正是因为如此，包括台积电、三星、英特尔等芯片代工巨头都向ASML伸出橄榄枝，希望与之加强合作，从而获得更多的EUV光刻机。
　　但随着摩尔定律逼近物理极限，以EUV光刻机主导的先进工艺似乎已经走到了尽头。也就是说，如果一味追求高性能和低功耗，那么结果只能是成本飙升，台积电放弃N3工艺转投N3E工艺就是最好的证明。
　　那么问题来了，有什么办法可以绕过EUV光刻机也能制造出高性能芯片？答案有很多，比如芯粒技术、光子芯片技术以及芯片堆叠技术。尤其是芯片堆叠技术，苹果推出的M1Ultra芯片就是采用了芯片叠加技术，将两颗M1Max芯片堆叠在一起，打造出的一款高性能SOC芯片。
　　除了苹果之外，为了解决高性能问题，华为也已经在芯片叠加技术方面展开布局，并发布了多项芯片叠加专利，甚至可以让14nm芯片达到7nm芯片的性能。
　　让人没想到的是，就在10月27日，台积电正式宣布，将成立具有开放和创新的平台3DFabric联盟，目的也很简单，那就是推动3D半导体发展。
　　据台积电方面披露的消息显示，目前已经有19个合作伙伴同意加入3DFabric联盟，其中就包括美光、三星记忆体以及SK海力士等芯片巨头。
　　台积电方面还表示，这次组建的3DFabric联盟将帮助客户快速实现芯片和系统级的实作。这也意味着，台积电非常看好3D封装技术的发展前景。
　　在芯粒技术方面，我国封测巨头通富微电也已经突破了5nm制程。关键是，美芯巨头超威还给其开出了一份长达5年的合同。也就是说，超威在未来五年内都将依赖芯粒技术生产高性能芯片。
　　对此，外界一致认为，美企大厂依赖中国芯片技术是西方搞脱钩的代价，也证明了中国芯片技术正在快速崛起。
　　与此同时，我国首条多尺寸、跨材料的光子芯片生产线也已经准备开工建设，预计到2023年在京建成。据悉，无论是计算速度，还是芯片性能，光子芯片都优于电子芯片。
　　种种迹象都表明，ASML生产的EUV光刻机已经不是制造高端芯片的唯一选择，而台积电成立3D联盟也相当于向ASML摊牌了，其一直都在都在努力减少对ASML光刻机技术的依赖。
　　要知道，ASML主要营收来源就是EUV光刻机和DUV光刻机，而如今EUV光刻机不能正常出货给华，再加上全球先进芯片产能过剩，甚至连台积电都计划关闭部分EUV光刻机。很显然，这些都不是ASML想要看到的情况。
　　尽管ASML一直都在想办法获得自由出货，但事实上，摩尔定律的极限已经不允许ASML这样做了。至于ASML会怎么应对，让我们拭目以待吧。对此，你们怎么看？欢迎大家留言点赞分享。
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