IT之家7月12日消息据外媒Neowin消息,韩国芯片制造商SK海力士今日宣布,已经利用EVU极紫外光光刻机,研发出1anm芯片制造工艺。这项技术相比2019年推出的1znm工艺,密度更大,制成的芯片功耗更低。 官方表示,该技术可以在相同的晶圆面积下,获得多达25的芯片产量提升。 海力士1anm技术可以使得目前智能手机广泛使用的LPDDR4内存芯片达到4266Mbps的高速度,与更先进的LPDDR4X芯片频率一致。不仅如此,采用新工艺的内存芯片功耗可以降低多达20。 IT之家还了解到,搭载海力士最新1anm工艺内存芯片的智能手机,预计将在今年下半年上市。海力士未来还会将该工艺应用于LPDDR5内存的生产上。