IT之家1月28日消息,SK海力士此前率先推出了HBM3高带宽内存芯片,其采用多层堆叠方式,使用TSV硅通孔工艺制造,单片容量可达24GB,最高带宽可达896GBs。 JEDEC组织今日公布了HBM3内存标准,规范了产品的功能、性能以及容量、带宽等特性。这一代内存相比HBM2,带宽增加了一倍。独立通道的数量从8个增加至16个,再加上虚拟通道,使得每个芯片支持32通道。芯片可以采用4层、9层、12层堆叠方式,未来可以扩展至16层堆叠,实现单片容量64GB。 JEDEC规定每层芯片的容量为8Gb至32Gb可选(1GB4GB),第一代产品预计为单层16Gb。为了满足市面上对于这类内存可靠性、寿命的需求,HBM3引入了强大的片上ECC纠错功能,同时具有实时报告错误的能力。 IT之家了解到,供电方方面,HBM3芯片采用0。4V、1。1V两档工作电压,以便提高能效。 美光公司高管表示,HBM3将使得计算机达到更高的性能上限,同时能耗会有所降低。SK海力士DRAM产品规划副总裁表示,随着高性能计算机和AI应用的不断进步,市场上对于更高性能、更高能效的要求比以往更甚。随着HBM3标准的发布,SK海力士很高兴能够为客户带来这类产品,同时增强的ECC方案可以提高稳定性。SK海力士为成为JEDEC的一员感到十分骄傲,并很高兴能够与行业伙伴一起,建立一个强大的HBM生态体系。