美光开始出货2550系列NVMe固态硬盘采用232层TLCN
据之前报道,美光(Micron)几个月前已推出232层TLCNAND闪存,并计划2022年底开始正式生产。近日美光宣布开始出货采用232层TLCNAND闪存的2550系列PCIe4。0NVMe固态硬盘,美光称该系列固态硬盘具有密度与功耗优势,相比自家上代产品,写入带宽提高了100。
该系列固态硬盘支持NVMe1。4协议,拥有2230、2242、2280三种规格,每种规格都提供256GB、512GB及1TB三种容量。其中256G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为4500MBs,最大顺序写入速度为2000MBs,最大随机读取380KIOPS,最大随机写入为400KIOPS,TBW为150TB;512G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MBs,最大顺序写入速度为4000MBs,最大随机读取500KIOPS,最大随机写入为600KIOPS,TBW为300TB;1T容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MBs,最大顺序写入速度为4000MBs,最大随机读取550KIOPS,最大随机写入为600KIOPS,TBW为600TB。
美光通过优化进入与退出节能状态的过程,为控制芯片采用更先进的制程工艺,采用HMB(HostMemoryBuffer)技术清除DRAM等手段进一步降低固态硬盘功耗,可使笔记本拥有更长的续航。美光称该系列固态硬盘睡眠功耗低于2。5mW,空闲功耗低于150mW,活动功耗低于5。5W。
目前已有包括长江存储,三星,SK海力士在内的多家厂商推出层数高于200的NAND闪存,估计很快会更多相应产品与消费者见面。