量产7纳米！中芯国际芯片突破引外媒关注中国芯片发展出乎预料

　　从前几年美国掀起对我国的全面对抗，在半导体等相关产业对我国展开新一轮全面加码的封锁与制裁开始，高端芯片的自主制造，就一直是网络上讨论的热点话题之一；虽然很多人既分不清芯片有哪些类型，也搞不懂从沙子到可用的芯片有多少道复杂的工序，除了光刻机外还有哪些配套设备，更分不清光刻机光源波长与芯片制程的关系，但是这都不影响网络讨论的热度。
　　甚至于你提到我国的什么军事装备，都有人能站出来问，芯片国产解决了吗？而7纳米乃至5纳米这样先进制程的突破就更是长期的讨论热点了。这两天就有国产芯片相关的好消息传出，西方某科技媒体通过拆解一部定制主机发现，我国中芯国际的7纳米先进制程已经转入商用阶段的实际量产，并且已经下线出售了数量不少的芯片，宣告了咱们国家的半导体工业在先进制程上做到了更进一步，这则消息这两天也成了西方的关注重点之一。
　　美国科技企业TechInsights通过拆解一款定制专用计算设备发现，这款设备当中的全部ASIC芯片，都是由我国企业中芯国际代工生产，采用7纳米制程制造；而按照他们的说法，这款设备从去年7月就已经进入了量产出货的状态，这也说明最晚在去年，我国就已经掌握了成熟的7纳米ASIC芯片的量产工艺。这里所谓的ASIC芯片指的是一些定制的具有专用用途的计算机当中使用的运算芯片，相对于一般说的电脑的CPUGPU或者手机的SOC这样的通用芯片而言，有共通性但也不完全相同。
　　但是不管怎么说，能解决7纳米ASIC芯片的生产，那量产各种通用芯片或者FPGA芯片也一样不是问题，说我国在先进制程上突破了7纳米工艺，进入准一流阶段，开始稳步向领先水平的5纳米以及更高级冲击已经指日可待了。也正是因此，包括彭博社在内的大量西方媒体，这两天都在对我国半导体产业在不声不响当中取得的突破感到震惊，感叹中国在美国如此严苛的制裁下还能如此快的发展自己的芯片产业，实在是太超出想象能力的突破了。
　　毕竟按照美国人的想法，前两年通过制裁，断供，限制技术交流等手段，应该已经有效的限制了我国在半导体工业上的发展，将中国的技术水平锁死在了相对落后的水平上，但没想到这反而促进了我国半导体工业的突破；之前交由境外台积电或者三星等厂商代工的一些芯片因为制裁的原因回流到境内代工，带来了大需求的同时也带来了资金，促进了我国在芯片制造上的研发突破，毕竟半导体产业，还是要靠市场盈利来推动研发制造这么循环的。
　　在几年的快速发展之后，我国的半导体工业水平，与刚被制裁的时候相比确实已经不可同日而语了：在当年刚被制裁的时候，我们国内还处在28纳米这样的成熟制程能量产但没有良率一般，更先进的制程都在实验室的阶段，而几年之后咱们不光是量产了7纳米，甚至还已经大规模应用反向出口到美国去了，这两年我国在半导体制造和出口市场上的份额，也在快速的提高，反而是美国现在开始天天担心缺芯的问题了。
　　在完成了7纳米先进制程量产的突破之后，应该说咱们已经初步解决了整个半导体芯片工业生产端可能会遭遇的卡脖子问题，上到28纳米以及更老，但市场也更广阔的成熟制程，下到消费级电子产品上需要的7纳米先进工艺，我们都有了成熟的生产能力，至少可以应对一旦被全面断供脱钩之后最基本最急迫的需求；至于全面满足国内市场的需要，那是个产能问题不是个技术问题。
　　以量产7纳米为节点来计算，目前制程上最领先的台积电，是17年上半年开始转入商业试量产阶段，换句话说目前中芯国际在先进制程上与领先巨头的差距，还有差不多3代整整4年的差距，已经追近了相当多的距离；按照这种状态计算，中芯已经是台积电三星和英特尔之后，制程第4先进的芯片制造企业，甩开了原本同一梯队当中的格罗方德与联电，算是一个人独占一个梯队了。
　　在制裁之下取得这个进度还是相当可观的，毕竟GF那还是美国的亲儿子企业呢，一样卡7纳米卡了几年最后不得不宣布放弃，也就难怪美国媒体出来感叹，我国这两年在半导体产业上的发展速度了，反而是现在的美国人，半导体产业在种种原因之下极度依赖东亚地区台积电以及三星等企业的代工，一旦这两大巨头被摧毁，美国将遭受的半导体产业创伤要比咱们还严重，美国商务部前两天也还在强调这件事。
　　当然有人可能还是要问，这个先进制程光刻机是哪来的？我们的光刻机也解决了吗？那中芯目前的7纳米工艺，用的还是ASML的光刻机，而且是几年前就引进现在也没有被限制进口的193纳米DUV光刻机；对湿式光刻来说，光源波长与芯片制程是两回事，没有什么7纳米光刻机一说，决定芯片制程的也不光是光刻机一个。