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三星搞笑了:3nm芯片弯道超车失败,连自己都不用

去年6月份的时候,三星就表示称,自己的3nm芯片正式量产,采用的是新一代的GAAFET晶体管技术。

而台积电的3nm,直到去年12月份才量产,采用的还是之前的老迈的FinFET晶体管技术。

可见,三星领先台积电半年,同时技术更先进,毕竟大家都认为GAAFET晶体管技术,比FinFET晶体管技术更先进。

于是很多人认为,三星这次可能要弯道超车,用GAAFET晶体管技术,领先台积电,抢台积电的市场,最终战胜台积电。

一年多时间过去了,台积电的3nm手机芯片苹果A17 Pro正式推出,用于iPhone15 Pro系列上,虽然表现没有让人惊艳,表现一般般,但至少3nm工艺已经立住了,在3季度,已经为台积电贡献了6%的收入,后续会不断的增多。

但三星的3nm芯片呢?虽然领先半年,虽然采用更先进的GAAFET技术,但目前还没有一家手机芯片厂商使用,高通最新的骁龙8Gen3,采用的是4nm工艺,联发科的天玑9300,采用的是4nm工艺。

最搞笑的是,三星自己的Exynos2400,居然也不用自己的3nm工艺,使用的是去年的4nm工艺。连三星自己都不用的工艺,你说让别人怎么用?自己都没有信心,让别人怎么有信心呢?这不是很搞笑么?

不同芯片工艺的阈值电压变化图

事实上,GAAFET晶体管技术,确实比FinFET晶体管技术要好,特别是在功耗控制、发热控制上。

我们知道,芯片的功耗,分为两部分,一部分是动态功耗,即芯片运行时产生的功耗。

另外一部分则是表态功耗,也称漏电功耗,即CMOS晶体管各种泄露电流产生的静态功耗,这部分与芯片的阈值电压息息相关,其实到7nm阶段时,芯片的静态功耗,比动态功耗更高,这部分才是功耗大头。

而GAA技术,相比于之前的FinFET技术,加到晶体管上的阈值电压变小,这样导致漏电功率也变小,从而芯片的功耗会得到较好的控制,功耗降低,那么发热也会更佳。

但很明显,三星GAAFET技术虽然很厉害,但没能在这次的3nm芯片上弯道超车,反而成了笑话,毕竟自己都不用的工艺,让别人怎么用。

不过,近日三星又放话了,要在2026年实现2nm芯片的量产,然后 在未来 5 年内超越台积电和其它行业巨头!

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