关于7nm芯片工艺，中芯国际有了正式的回应

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　　今天跟大家聊一聊：关于7nm芯片工艺，中芯国际有了正式的回应！
　　目前最为先进的工艺已经来到的了5nm，台积电以及三星都有能力实现量产，而国内目前最为先进的工艺仅为14nm，也只有中芯国际能够做到，但目前这条生产线还要高度依赖于国外的技术，因此在相关限制之下，14纳米芯片的代工也受到了很大的影响。
　　目前国内在尽最大的努力攻克7nm芯片，虽然不是最先进的，但对于国内半导体领域来说，如果能够完成7nm芯片的自主化生产，意味着我们能够完全实现芯片的自给自足了，5nm的芯片性能并没有被全部利用上，7nm的芯片已经能够满足于各大高端领域了。
　　随着美国芯片制造企业的逐渐没落，虽然拥有着全球顶尖的芯片研发设计工艺，但在芯片制程工艺上却已经完全落后了，目前能够量产7nm芯片的也只有三星以及台积电，这也是为什么美国着急，让三星以及台积电赴美建厂的原因。
　　中芯国际回应7nm工艺
　　而在近期，中芯国际发布了第二季度的财务报表，数据显示中芯国际在恢复成熟工艺的授权之后，其营收以及利润都迎来了暴涨，并且相关负责人还正面回应了关于7nm芯片的进度。
　　在梁孟松加入中芯国际之后，仅仅用了三年的时间，就完成了别人要用十年才能完成的成就，直接帮助中芯国际从28nm的制程工艺，突破到了7nm的水准，很早之前就传出了中芯国际将试产7nm的芯片，但受到相关限制的影响，之后就没有任何的消息了。
　　根据中芯国际回应，目前旗下的FinFET工艺，其产能已经达到了1。5万片每月，目前依然有很多的客户在排队等候，产能也非常的紧张，而关于7nm芯片的试产以及量产计划并没有中断。中芯国际FinFEF工艺
　　根据中芯国际专业人员介绍，这项工艺主要有四种模式，分别为14nm、12nm、N1工艺和N2工艺，而对于14nm以及12nm都没有什么疑虑了，那究竟什么是N1、N2工艺呢？
　　根据芯片的测试性能，我们可以得出结论，利用N1工艺制造出来的芯片，相比于14nm芯片，在逻辑面积上减少了63，性能上也提高了20，功耗也节省了超57，所有的数据都很接近于台积电的7nm工艺，但在性能的详细比对上，又无法达到7nm芯片的标准。
　　随后中芯国际又开始研发N2工艺了，简单点来说N1工艺主打的是低功耗，而N2工艺在原有的基础上，主要针对的是性能的升级，目前N1工艺已经实现了量产，而此前中芯国际传出的试产7nm芯片，应该就是N2工艺了，预计在今年年底也能够完成试产。梁孟松的表态
　　中国半导体行业一直都想着实现弯道超车，但此前梁孟松明确表态了：集成电路制造行业没有弯道式超车和跳跃式前进，如果没有打好基础的话，一切将前功尽弃。
　　而中芯国际之所以能够这么快就进入到7nm芯片的试产，梁孟松就是非常关键的一个因素，但是中芯国际在宣布7nm芯片试产之际，正好处于相关限制最严的时刻，这也在很大限度上限制了其发展进程。
　　14nm中间还有12nm、10nm工艺，而中芯国际选择直接越级到7nm，怎么看都像是一个跳跃式的前进，但其实中芯国际是在按部就班的发展，从N1以及N2工艺上就能够明显的看出来。
　　中芯国际从来没有明确表态，利用N1工艺生产出来的芯片就是7nm，随后又曝光了N2工艺，说明这并非我们期待的7nm芯片，正如在相关性能上的表现，这只是类似于7nm的芯片，因此真正的7nm工艺，有可能还要在N2工艺完成试产之后。
　　而这也充分说明了，想要越级发展芯片工艺是不可能的，必须要有一个过渡的过程，目前大部分的芯片企业都把资金用在了产能的扩充上，只有少部分的资金被用于先进的制程工艺研发，也就意味着国际整体半导体研发进度将被放缓，这对于我们来说是一个很好的机会。中芯国际的困境
　　虽然目前中芯国际已经恢复了成熟工艺的量产，但很多海外订单依然受到一定的限制，虽然在第二季度中芯国际的利润和营收同比增长了不少，但主要原因还是因为全球缺芯状态下的反弹。
　　目前中芯国际要做的是，配合好国内优质的半导体企业，尽早打造出完全自主化的生产线，彻底摆脱相关限制的困扰，只有这样才能够真正的解决问题，对此你们是怎么看的呢？