再见了，EUV光刻机？

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　　作为全球半导体设备制造巨头的ASML公司，几乎全球的光刻设备都是由它提供的。不仅是DUV光刻机占据着绝大多数的市场份额，在EUV光刻设备上更是只有它造得出来，处于垄断地位。
　　随着芯片紧缺愈演愈烈，为了缓解芯片紧缺的问题，各个芯片大厂在扩厂生产的需求下争相向ASML订购EUV光刻机。
　　但随着芯片规则的修改和全球公共卫生问题的产生，ASML的光刻设备自由出货受到限制，芯片的制造成本也在不但增加，甚至有些光刻零件供应链开始延迟出货。
　　在此背景下，越来越多的企业开始寻求其他路径，以求绕过EUV光刻设备，制造出先进制程的芯片。英特尔的新型3D堆叠封装技术
　　英特尔就研发出新型3D堆叠、多芯片封装技术，该项技术被命名为FoverosDirect。它能够应用于多种芯片混合封装的场景，不仅能够将CPU、GPU、IO芯片以相邻或者层叠的方式紧密结合在一起，还能兼容不同厂商的芯片进行混合封装。
　　2021年7月英特尔更是推出了RibbonFET新型晶体管架构，通过将NMOS芯片和PMOS芯片堆叠在一起，在制程不变的情况下，晶体管密度提升了30至50。通过这项技术，芯片制程缩小到10nm以下，最多能达到5nm。全新的NIL工艺
　　日本铠侠公司联合佳能开发出新的NIL（纳米压印微影技术）工艺，它是一种将纳米图案印章转移到晶圆上的技术。
　　它的工作原理是基于机械复制的，通过印刷技术与微电子加工工艺相互融合，使用电子束刻蚀的方式，不受光学衍射的限制。能够解决光衍射现象造成的分辨率极限问题，实现让电路线宽变得更窄，理论上来说分辨率会比EUV光刻机要高。
　　NIL的微影制程相对来说较为单纯，耗电量能比EUV光刻机减少10，在设备的投资成本上也节省了40，目前已经可以实现15nm制程的量产并应用到NAND闪存制造上，预计到2025年最高能产出5nm精密度制程的芯片。
　　适合工业化、低成本且具有高效率的优势让它一经推出就受到业内的重视，越来越多厂家对它感兴趣并进行询问。俄罗斯自研X射线光刻机
　　俄罗斯初期投入6。7亿卢布用于X射线光刻机的制造。目前MIET（俄罗斯莫斯科电子技术学院）已经承接了该项目。根据当地媒体的说法，X射线光刻机性能甚至能与EUV光刻机比肩。
　　不同于EUV的极紫外技术，俄罗斯自研的光刻机使用的是X射线技术。从光刻设备的发展历程来看，越是高端的光刻设备，波长越短曝光分辨率就越高。
　　EUV的极紫外波长为13。5nm，X射线的波长在0。01nm到10nm之间，光从波长来看，X射线光刻机是比EUV光刻机有优势的，不需要光掩模版的直写光刻方式也使成本大为降低。
　　但X射线穿透性太强，只能用于直写光刻导致速度太慢，目前MIET面临的最大问题就是在工艺以及效率的提升上。
　　俄罗斯虽然半导体产业不发达，但在X射线和等离子这方面的技术上有着深厚的基础，要提升工艺实现量产并非不可能。Chiplet技术正在进一步得到国际的认可
　　Chiplet技术就是我们常听到的小芯片技术。目前国际上很多知名企业都在发展小芯片技术。
　　如全球规模最大的芯片代工厂台积电，就自研出新的3D芯片封装工艺，通过将两枚低制程芯片用先进的3D封装工艺封装在一起，能提升1。5倍的性能。
　　对于3D封装技术，台积电还在不断进行试验和优化，目前最高已经能产出3nm制程的芯片。只是良品率还不高，成本消耗也更大。但对于能绕开EUV光刻机实现自主生产，就意味着能拥有自主权实现自由出货，这就是值得的。
　　苹果公司最新推出的M1Ultra芯片也是将两枚M1芯片并列粘合在一起组成的，经过检测，M1Ultra芯片的性能甚至比A15还要高出65。
　　华为在5G芯片得不到供应之后，也明确表示会采用芯片堆叠技术，用面积换取性能。目前华为已经开发出芯片堆叠封装及终端设备并申请了专利。
　　在本就是自研芯片的基础上，有了自己的设备，华为要生产出芯片是不难的。
　　这些企业纷纷进入芯片相关产程自研，就是为了绕开EUV光刻设备的限制实现芯片自由。已经不能自由出货的ASML对各商家来说负面影响是很大的，不仅芯片的增产计划受到影响，可能客户的订单都不能如期交付。
　　而且，在美方技术的限制下，ASML已经隐隐有被操控的迹象，避免EUV光刻机的限制，也是在挣脱老美在半导体领域的限制。
　　这也表明，如果ASML无法实现自主出货，终将会被时代抛弃。
　　对于各个企业纷纷开始自研光刻设备和芯片技术，大家有什么想法呢？欢迎在评论区留下您独到的见解。