网传小米澎湃P1芯片并非自研，南芯半导体回应消息不实

　　IT之家2月8日消息，南芯半导体今日发文称，近日出现了一些关于小米澎湃P1的不实传言。官方现做出回应。
　　据介绍，小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号SC8561）。这款芯片具备超高压4：1充电架构，实现了120W单电芯充电，，支持1：1、2：1和4：1的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。
　　今日早些时候，有微博用户表示小米自研的澎湃P1芯片为外部购买的传闻，针对小米的自研工作进行造谣。
　　小米在去年12月发布了自研的第三款芯片澎湃P1。雷军称，小米12Pro搭载澎湃P1充电芯片，行业首次实现120W单电芯充电技术。
　　小米现已发布澎湃P1的详细介绍，官方称澎湃P1填补了120W单电芯快充行业空白。
　　小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的20V电压转换成可以充入电池的5V电压，需要5个不同种电荷泵的串并联电路。大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到120W高功率快充。
　　驱动小米120W澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃P1。它们接管了传统的5电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。
　　小米表示，澎湃P1作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的4：1超高效率架构，谐振拓扑效率高达97。5，非谐振拓扑效率为96。8，热损耗直线下降30。
　　澎湃P1本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃P1需要支持1：1、2：1和4：1转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通，这意味着总共需要15种排列组合的模式切换控制是传统电荷泵的7倍。正向1：1模式让亮屏充电效率更高，正向2：1模式可兼容更多充电器，正向4：1可支持120W澎湃秒充，反向1：21：4模式可支持高功率反向充电。
　　小米称，澎湃P1也是小米充电效率最高的4：1充电芯片，可做到0。83Wmm超高功率密度，LDMOS也达到业界领先超低1。18mmmRSP。而澎湃P1芯片内部需要用到三种不同耐压的FLY电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍。并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃P1在出厂时都需要通过2500多项测试，远高于传统电荷泵。
　　IT之家了解到，即将在12月28日发布的小米12Pro是第一款搭载澎湃P1的智能手机，它支持有线120W澎湃秒充、50W无线秒充和10W无线反向充电。小米表示，小米12Pro的120W澎湃秒充技术拥有两挡模式：低温模式，温度仅37，体温般舒适；疾速模式，一杯咖啡的时间疾速满电。