IT之家10月20日消息,今日韩国SK海力士宣布,成功开发出业界第一款HBM3DRAM内存芯片。该产品可以与CPU、GPU核心相邻封装在一起,采用多层堆叠工艺,实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。 目前HBMDRAM已经发展到了第四代,HBM3进一步提升了单片容量以及带宽。海力士表示,2020年7月便开始量产HBM2E内存,为全球首批量产这种芯片的企业。 SK海力士最新的HBM3芯片,单片最大容量可达24GB,最高带宽达到了819GBs,相比HBM2E提升了78。不仅如此,产品还支持片上ECC纠错,显著高了可靠性。 这款HBM3内存提供16GB和24GB两种类型,分别为8层和12层堆叠,每层容量2GB。工程师将单片芯片的高度磨削至30微米厚,相当于A4纸的三分之一。然后,使用TSV硅通孔技术将这些芯片堆叠在一起,最终进行封装。 IT之家了解到,这款芯片可以用于高性能CPU,或者专用计算加速卡,可以显著提高人工智能、机器学习运算的性能,有助于科学研究、药物开发、气候变化分析等。