IT之家8月6日消息今天上午三星宣布开始大规模生产新型250GBSATA固态硬盘(SSD),集成了三星的第六代256Gb3bitVNAND。 三星称,利用通道孔蚀刻技术,新的VNAND比之前的90层单堆叠结构增加了约40的层数,达到了136层。 随着每个单元堆叠高度的增加,NAND闪存芯片更容易出现错误和读取延迟。为了克服这种局限性,三星重新进行电路设计,使它获得最快的数据传输速度,低于450微秒(s)写操作和低于45s读取延迟。与上一代相比,这意味着性能提高了10以上,而功耗降低了15以上。 三星表示,凭借高速和低功耗的特点,三星不仅计划将其3DVNAND扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域,还计划进军高可靠性极其关键的汽车市场。 继今天推出250GBSSD之后,三星计划在今年下半年推出搭载512Gb单元的3bitVNANDSSD和eUFS。