性能提升5倍,西数最新QLC颗粒写入速度达60MBs
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IT之家5月13日消息,西部数据在5月10日的发布会中不仅发布了一系列新品,还透露了其3D闪存路线图。
西数称,他们的下一代的BiCS6为162层3DNAND,而西数刚发布的旗舰固态SN850X使用的则是2020年生产的BiCS5112层3DNAND。
BiCS6将带来更快的IO接口和更快的颗粒带宽,而且其QLC版本拥有比TLC版本更小的芯片面积和更高的存储密度,而且虽然西数的BiCS6QLC颗粒的堆叠层数比美光和SK海力士的176层QLC闪存要低一些,但存储密度却超越了它们。
QLC颗粒自它诞生的那天起就被网友们冠上垃圾的名头,原因就是它不仅写入寿命短,缓外写入速度还低的离谱。当消费者们看到QLC硬盘的产品宣传页面写着2000MBs的写入速度就兴冲冲的将其买回家时,他们还不知道这些硬盘的缓外写入速度实际上只有可怜的几十MB每秒,甚至不如机械硬盘。
缓外写入速度即为数据直接在储存颗粒上的写入速度,厂家一般会通过添加SLC缓存、虚拟缓存、DRAM缓存等手段来延缓这种情况的出现。然而这些缓存的容量一般都远小于硬盘的实际容量,对于平价的QLC固态来说更是如此。
而西数优化了其QLC颗粒的写入速度,BiCS6的QLC版本写入速度达到了60MBs,是英特尔144层QLC的1。5倍,是自家96层BiCS4QLC的6倍还多。尽管该速度还是比BiCS6的TLC版本慢了60。
采用BiCS63DNAND的TLC以及QLC固态硬盘将会在2022年底生产,而且其幻灯片上还提到了PLC颗粒(QLC的下一代),但官方并未公布其更多信息。
IT之家了解到,西数还称将为企业用户开发200多层的BiCS闪存以满足数据中心对高容量和高性能的需求,与BiCS6相比,BiCS在储存密度将增长55,且其传输速度提高60,写入速度也会提高15。
除此之外西数还公开了一些正在研发中的技术,比如通过粘合多个晶圆并使用其他先进技术制造具有500多层的3DNAND,通过路线图得知该技术有望在2032年到来。