IT之家11月19日消息,今天联发科技召开EOSummit年度高管峰会。峰会上,联发科技介绍了新一代旗舰处理器天玑9000。据介绍,联发科天玑9000采用了台积电4nm制程工艺,也是全球首款台积电代工的4nm手机芯片。 今天下午,微博博主数码闲聊站称,联发科明年真是大跃进,台积电n4旗舰芯叫天玑9000,n5次旗舰芯可能大概也许叫天玑7000,在测了。 这意味天玑7000次旗舰芯片将采用台积电5nm工艺技术。此前天玑1200芯片采用了6nm工艺技术。 回到天玑9000芯片参数方面上,联发科天玑9000由超大核、大核和小核组成,包括1个CortexX23。05GHz超大核和3个CortexA7102。85GHz大核和4个CortexA5101。8GHz小核,GPU则为ARMMaliG710MC10,支持LPDDR5X7500Mbps内存。联发科技表示,由于全新超大核的加入,其性能将提升35,功效提升了37。 影像方面,联发科天玑9000配备了18位HDRISP图像信号处理器(ISP),可支持三颗镜头同时拍摄HDR视频,最高可支持3。2亿像素摄像头。 IT之家获悉,另外联发科天玑9000最高支持WQHD144Hz刷新率屏幕或者FHD180Hz刷新率屏幕,支持HDR10、WiFi6E、支持蓝牙5。3等。