IT之家3月30日消息,日前,realme推出了潮玩旗舰真我GTNeo3,支持150W光速秒充,5分钟充电50。 据南芯消息,真我GTNeo3搭载了南芯半导体SC8571超高压电荷泵快充芯片。 官方称,南芯SC8571可实现业界同类产品的最大功率,单芯片可支持最高120W充电规格。通常情况下,为保证手机的散热性能和用户体验,120W到160W一般会采用2颗SC8571并联方案;如若采用3颗SC8571并联,并配合相应快充链路的整体加强设计,则可以实现200W的充电功率。 SC8571实现了业界极高的98。65峰值效率,在单颗输出8A的大功率负载条件下依然保持超过98的效率指标。 安全性方面,SC8571内部集成了21重不同保护机制,以确保充电过程安全可靠。其保护机制可以分为以下三类:11重系统级保护、5重电荷泵相关保护、5重系统级报警。其中,系统级保护和电荷泵相关保护触发后,SC8571会停止充电,同时出INT中断。系统级报警触发后,同样会出INT中断,但是充电不会停止,以提醒AP提早采取应对措施。 IT之家了解到,上海南芯半导体科技股份有限公司,成立于上海浦东张江高科技园区,是一家专注于电源和电池管理的高性能国产半导体设计公司。