厂商谈IGBT大缺货根本买不到！

　　当下半导体周期下行，半导体产业链多细分领域均明显迈入到库存调整周期。然而，在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增助推下，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）近期出现较大程度缺货，不仅价格连涨，业界更以不是价格多高的问题，而是根本买不到来形容缺货盛况。
　　01hrIGBT供不应求，代工价格喊涨
　　自2020年汽车缺芯以来，汽车芯片结构性缺芯愈发明显，IGBT一直处于紧缺状态。在2022年下半年，其甚至超越车用MCU，成为影响汽车扩产的最大掣肘。
　　今年年初媒体消息显示，汉磊集团于年初调涨IGBT产线代工价一成左右。据悉，汉磊掌握IGBT芯片组件龙头英飞凌大单，在晶圆代工报价普遍回调之际，汉磊集团逆势涨价，凸显市况火热。
　　据富昌电子2023年2月17日发布的《2023Q1芯片市场行情报告》数据显示，ST（意法半导体）、Microsemi（美高森美）、Infineon（英飞凌）、IXYS（艾赛斯）、Fairchild（仙童半导体）这5大品牌的IGBTQ1与2022年Q4的交期基本维持一致，交期依旧紧张，最长为54周。
　　具体来看，在2023年第一季度中，ST的IGBT货期为4752周，Microsemi的IGBT货期为4252周，IXYS的IGBT货期为5054周，Infineon的IGBT货期为3950周，Fairchild的IGBT货期为3952周。不过，这5大品牌的货期趋势和价格趋势都呈稳定状态，没有上升的趋势。
　　近日，业界人士谈IGBT缺货现象，直言涨价抢货已不是新鲜事，不是价格多高的问题，而是根本买不到，其分析这波缺货潮还会延续一阵子。
　　业者分析，IGBT大缺货有2大原因，一是当前太阳能逆变器采用IGBT的比重大幅提升，二是目前半导体产业正处于调整期，不仅产能有限，而且许多产能都被电动车厂抢走，在排挤效应下，导致IGBT大缺。
　　随着新能源车兴起，对高电压需求大增，IGBT成为产业发展焦点，一辆电动车使用的IGBT数量高达上百颗，是传统燃油车的七到十倍。在工业用途上，则有AC伺服马达、变频器、风力及太阳能发电等绿电应用，在高压部分则是高速铁路等轨道运输以及电网的应用。
　　02hrIGBT后，SiC成车用半导体厂商下一个风口
　　当下SiC功率元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术，整车厂们争相绑定未来几年的SiC供应，IGBT供应商也不例外。
　　TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄指出，碳化硅拥有优越的电气特性，传统的硅材料无法比拟。碳化硅取代硅基IGBT是不可逆的趋势，尤其是在800V充电架构之下，硅基IGBT已经达到性能的极限，很难满足主驱逆变器的技术需求。从下游应用来看，碳化硅组件是电动汽车制造商未来必须考虑的核心组件，另外光伏储能场景也在加速导入，因此近几年碳化硅市场将维持供不应求态势，产业热度不会降低。
　　TrendForce集邦咨询在最新发布的调研报告中预测，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源企业合作项目的不断增多，碳化硅功率器件的前两大应用为新能源汽车与再生能源领域，分别在2022年已达到10。9亿美元及2。1亿美元，占碳化硅功率器件整体市场产值约67。4和13。1。到2023年，碳化硅功率器件整体市场产值将达到22。8亿美元，年增长41。4。
　　TrendForce集邦咨询预测，至2026年，碳化硅功率器件市场产值可望达到53。3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车产值可达39。8亿美元，年复合增长率约38；再生能源达4。1亿美元，年复合增长率约19。
　　当下，IGBT主要由欧日大厂主导，以英飞凌市占率最高，此外日本富士电机、安森美半导体、东芝、意法半导体等也是主要供货商，这些大厂近年来纷纷加码SiC布局。
　　2023年，英飞凌将SiC、BMS、MCU当作重点开拓市场。2月16日，其宣布将投资50亿欧元，在德国德累斯顿建设一座12英寸晶圆厂。据悉，该模拟混合信号技术和功率半导体新工厂计划于2026年投产，其生产的模拟混合信号零部件和功率半导体将主要应用于汽车和工业应用。
　　瑞萨电子方面，去年五月其宣布将向2014年10月关闭的甲府工厂（山梨县甲斐市）投资900亿日元，目标在2024年恢复其300mm功率半导体生产线，生产包括IGBT和功率MOSFET在内的产品。
　　2022年8月，瑞萨电子宣布针对下一代电动汽车逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。
　　意法半导体则在去年十月其宣布，将在意大利建造一座价值7。3亿欧元的碳化硅晶圆厂。据介绍，这将是欧洲首家量产150mmSiC外延衬底的工厂，它整合了生产流程中的所有步骤。展望未来，ST致力于在未来开发200mm晶圆。
　　2月11日，安森美正式接手了格芯一座在纽约的12英寸厂，并承诺为之投资13亿美元。安森美表示，该工厂将生产支持电动汽车、电动汽车充电和能源基础设施的芯片，将推动公司能够在汽车电气化、ADAS、能源基础设施和工厂自动化的大趋势中加速增长。
　　安森美首席执行官HassaneElKhoury指出，在未来三年内，安森美将为SiC提供40亿美元的承诺收入，2023年约为10亿美元，并可能在2024年和2025年增长约30，达到17亿美元。为了达成目标，安森美已经将生产SiC的晶圆厂产能翻了一番，并计划在2023年再次翻番，然后在2024年再次翻番。
　　随着IGBT供应商不断加码SiC，逐步缓解当下功率半导体缺货现状的同时，新的技术汇入将会将会给功率半导体市场带来全新体验。
　　全球半导体观察竹子