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美国的“阳谋”:让中国芯设计卡死在3nm,制造卡死在10nm

时间:2022-08-18 17:55:40 热文 我要投稿

众所周知,这几年中国芯片产业的不断崛起,特别是制造上,不断突破,产能急剧提升,在2020年的时候,晶圆产能占全球的16%,已经超过了美国12%。

而按照机构的预测到2030年时,中国晶圆产能会高达24%,而美国会降为10%,不足中国大陆的二分之一,这让美国大为紧张,所以最近针对中国芯片产业,美国又下死手了。

中美晶圆产能对比

从当前的情况来看,美国下手,分为三个方面。一是利用520亿美元的芯片补贴,拉拢芯片巨头,到美国设厂,并不准拿补贴的厂商,10年内到中国大陆投资高端芯片,以此锁死中国高端芯片10年。

二是对EDA进行封禁,直接将 开发GAAFET(全栅场效应晶体管)结构集成电路必须用到的EDA(电子计算机辅助设计)软件,被列入管制范围。

三是对 14nm及以下的所有设备,都不准卖到中国大陆来,从制造领域进行打压。

而美国这三个举措背后,其实是美国当前的最大“阳谋”,也不遮着掩着,那就是“想让中国大陆的芯片设计卡死在 3nm,制造卡死在 10nm,然后拉开中美在高速运算、人工 AI 等方面的距离。”。

先说设计卡死在3nm这一块,因为当芯片进入到3nm时,三星已经使用了GAAFET晶体管,而台积电在2nm时也会使用GAAFET晶体管。

一旦GAAFET晶体管设计使用的EDA不准中国大陆厂商使用,那么大家基本上芯片设计水平,差不多就卡在了3nm,很难进入到3nm所需的GAAFET技术上来了。

再说制造方面,当前中国大陆最先进的工艺是FinFET技术,也就是中芯的14nm,早已实现了量产。但美国当前想要禁止14nm及以下的半导体设备禁运。

那么我们就只能停留在14nm,很难再进前一步到10nm了,毕竟当前国产半导体设备能够支持的工艺,大多在28nm,少部分在14nm,只有刻蚀机到了3nm,要补的课还太多,短时间无法突破。

可见, 中国要发展高端芯片,不只是芯片制造环节要突破,还包括设计、制造、封测、设备及材料环节,以及芯片辅助设计工具(EDA)软件,只有芯片上下游的每一步都要走得扎实,才能够突破封测,路还很长。