全球存储市场在竞争什么？

　　近日，据韩媒《BusinessKorea》报道，三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别连续30年和20年保持第一的位置。
　　同时，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。业界担心，三星主导地位未来将被动摇。在这之下，未来存储器市场格局是否将发生改变？
　　01、层数之争火势更旺
　　美光、SK海力士、三星等厂商一直不断地追逐NAND闪存更高层数，在跨越100层后便开始向200层迈进，以达到性能的提高。
　　从去年的技术成绩来看，美光方面，2022年7月，美光全球首款232层NAND闪存在新加坡工厂正式量产，而当时的三星正在苦研176层NAND闪存。同年12月，美光成功向PCOEM客户出货232层NAND客户端SSD，该产品适用于主流笔记本电脑和台式机。
　　SK海力士方面，2022年8月，SK海力士成功开发出238层NAND闪存，这是目前世界最高层数，该公司已向客户发送238层512GbTLC4DNAND闪存的样品，并计划在2023年上半年投入量产。
　　三星方面，随着业界不断传出闪存技术的新动态，三星也不免跟着着急，面对各种杂音，三星曾表示将在2022年内发布236层NAND闪存产品。为进一步加大研发力度，三星还计划开设一个新的研发中心，该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。
　　终于在2022年11月，三星宣布量产236层3DNAND闪存芯片，这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb（128GB）三比特单元（TLC）的第8代VNAND。而三星的第九代VNAND目前尚在开发中，并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存。
　　三星曾预计，到2030年公司将打造出堆叠层数超1000层的VNAND。并且为了实现这一目标，三星正在从当前的TLC架构过渡到四级单元（QLC）架构，以提高密度和启用更多层数。
　　而西数铠侠方面，西数于去年5月表示，未来将与铠侠推出200层以上（BiCS）的闪存产品，2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上的闪存技术。不过目前西数和铠侠暂无最新的消息。
　　从市场份额上看，据TrendForce集邦咨询2022年11月23日研究显示，截止2022年第三季度，在NAND闪存市场，三星的市场份额为31。4，排行第一；其次是铠侠、20。6；后面是SK海力士、18。5，西部数据、12。6，美光、12。3。
　　虽然看起来市场份额仍然差距较大，但在竞争对手的猛烈追赶下，三星三星难免感受到压力。
　　值得注意的是，西部数据近日宣布，将获得由Apollo全球管理公司牵头的9亿美元投资。对于此次投资，有消息人士表示，这是西部数据与日本Kioxia（铠侠）合并的前兆。
　　倘若铠侠和西数合资计划最终确定，这或将对市场造成巨大的影响。
　　02、先进制程竞赛持续
　　DRAM是半导体存储器的大宗产品之一，经过几十年的大浪淘沙，英特尔、东芝、松下、德州仪器、IBM、Motorola等曾经的强者退出DRAM江湖，如今DRAM市场形成了三足鼎立的格局，主要由三星、SK海力士、美光三大巨头所领导。
　　据TrendForce集邦咨询2022年11月16日研究显示，截止2022年第三季度，在DRAM市场中，三星份额为40。7，仍占据全球第一，SK海力士为28。8，排位第二，美光为26。4，居第三。
　　在DRAM先进制程竞赛道上，存储大厂为抢占技术先机，也是一刻也不停缓。
　　美光方面，2022年11月初，美光已经将1DRAM（第五代10nm级别DRAM）产品送往了客户的产品验证流水线，这也意味着10纳米级别的芯片工艺已经来到了第五代。相较于1（alpha），1（beta）在16Gbit的容量下，能效提高约15、内存密度提升35以上。
　　同年11月中旬，美光尖端存储器1DRAM在日本广岛量产。美光日本广岛工厂一直致力于尖端技术产品DRAM的生产，目前，该厂投产制程主要为1Z纳米（占比50以上）和1Y纳米（占比约35）。
　　美光DRAM制程已经实现了1Xnm、1Ynm、1Znm、1四个节点，并率先进入了1节点。据悉，美光正在对下一代1（gamma）工艺进行初步的研发设计。
　　三星方面，2022年10月，三星在SamsungFoundryForum2022活动上公布DRAM技术路线图。根据路线图，三星预计，2023年进入1bnm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到24Gb（3GB）32Gb（4GB），原生速度将在6。47。2Gbp之间。
　　同年12月，三星开发出首款采用12nm级工艺技术打造的16GbDDR5DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。
　　自此来看，业界表示，10纳米级别的DRAM制程经过了依次为1X（16nm19nm）、1Y（（14nm16nm））、1Z（12nm14nm）、1（约13nm），目前来到1（1012nm）、1（约10nm，1的增强版）的节点。
　　对DRAM芯片来说，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集中的晶体管就越多，也就是说一片芯片能实现更高的内存容量。
　　而从产品价格上看，去年以来，DRAM价格持续下跌。据TrendForce集邦咨询1月9日研究指出，由于消费需求疲弱，存储器卖方库存压力持续，仅三星（Samsung）在竞价策略下库存略降。为避免DRAM产品再大幅跌价，诸如美光（Micron）等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至1318，但仍不见下行周期的终点。
　　DRAM产品可广泛应用于手机、服务器、PC等下游领域，近年来，消费终端需求不振，DRAM市场持续萧条。面对未来，内存厂商唯有持续研发推出1、1。。。或更先进制程的DRAM产品，拥有高新技术，才能在逆境中站稳每一步脚跟。
　　全球半导体观察轻语