台积电1nm芯片白折腾，核心材料75在中国，西方也绕不过去

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　　在半导体制造领域，中国起步相对较晚，再加上造不如买，买不如租等错误观念的出现，一大批自主研发项目被迫叫停，从而导致我国目前在芯片制造工艺链上处处受限于人。
　　台积电作为全球最先进的半导体制造企业，其工艺制程精度已经突破3nm，并且已经在进行风险试产，同时，台积电的研发团队正在朝着更高的技术努力。我们知道，硅基芯片具有物理极限，理论上的最高精度为1nm，当然，现实中不可能达到这样一个值，除非另辟蹊径。可就在近日，台积电成功找到了一种可以替代硅物质的新材料铋，这种材料可以大幅增强二维材料的电晶体，从而使得1nm芯片研发成为了一个可以攻破的现实。
　　台积电产能转移
　　目前，台积电70的产能都被美国占有，为了满足后者更多的市场需求，台积电近来又接连宣布赴美建厂，并且规模浩大，预计将在亚利桑那州完成五座5nm和一座3nm圆晶厂建设，毫无疑问，台积电此举将助力美国完成半导体产业的崛起。
　　受美国禁令的影响，我国高精度芯片制造迎来了艰难时刻，例如，ASML拒售大陆EUV光刻机，台积电停止为大陆生产高精度芯片。即便如此，我国依然没有放弃自主研发芯片的决心，而是在国家层面加持半导体研发和制造的投入，力争在下一个五年计划里实现70的芯片自主率。
　　中国人才储备位居全球第一，在半导体研发部署确定后，各个企业和机构相继发力，近日也是战果累累，比如国产EDA设计软件获得三星8nm认证，中微实现3nm蚀刻机研制，上海微电子年内完成28nm光刻机交付等等。
　　当然，我国要想在芯片制造领域与台积电、三星等先进企业竞争，必须完成以下几点。
　　第一，给国内半导体企业足够的市场空间，同时限制外来企业的在境内投资建厂。这样做的目的是鼓励国内企业大胆投入经费进行芯片研发，一旦成功，庞大的市场可以保证其持续盈利。
　　第二，在核心技术上进行突破，例如光刻机。长期以来，中国在制造业领域具有一定的成本优势，一旦这些核心设备在市场上普通化，西方一定会采取措施与中国洽谈，这将成为我们反制的机会。
　　第三，绕开硅基芯片，另辟蹊径进行发展。这里指的是中国目前领先全球的三项技术，即碳基芯片、光子芯片和量子芯片技术。据悉，高精度光刻机在以上这三类芯片中发挥的作用会明显降低。
　　当然，中国芯片研发之路还很长，但让人惊喜的是，中国在1nm芯片核心材料上意外卡住了西方的脖子。
　　中国成功卡脖子
　　正如上文所说，铋成为了台积电计划用来研制1nm芯片的特殊材料，而这一次，我国成功控制住了铋物质。
　　根据探测数据显示，全球铋金属的储存量非常稀少，总计仅为32万吨，而中国就独占了75，稳居全球第一。伴随着市场芯片需求量的不断增大，台积电如果想要利用铋作为1nm芯片的研发材料，必然绕不开大陆的材料供给，到时候，美国及台积电的单边制裁将不攻自破，华为手机业务也将迎来重生。
　　而更可观的是，一旦我国实现了碳基芯片、光子芯片和量子芯片的制造，铋物质将成为我们控制西方半导体发展的核按钮。