全球爆发芯片竞赛潮！三星首发3nm台积电突破1nm，2nm芯

　　【5月18日讯】相信大家都知道，在最近一段时间，美国方面再次拉拢了全球高达64家科技巨头，成立了美国当地首个芯片技术联盟，或许也是迫于美国政府的压力，全球很多知名芯片企业都加入到其中，毕竟芯片产品目前被广泛应用于电脑、手机以及水利、电力等公共设施和军事设备上，所以芯片这一核心技术，早已经成为了一个国家的经济发展以及国家安全的命脉，根据统计数据显示，目前全球IT产业链市场规模高达10万亿美元，所以我们也可以看到，几乎每一次爆发的全球性科技达产，最终的竞争都落到了芯片技术本身上，毕竟芯片是整个IT产业的基础，没有芯片产品，就不会有现在的IT产业。
　　在整个芯片产业链中，共分为三大技术领域，它们分别是芯片设计、芯片制造以及芯片封测，而我们在全球芯片大战中可以看到，最终的技术竞争都集中在芯片制造技术上，而在全球芯片制造市场中，台积电、三星这两家芯片代工巨头，几乎也是垄断了全球芯片代工市场份额，尤其是在高端7nm工艺、5nm工艺芯片制造技术上，目前也只有台积电、三星这两家巨头掌握了这一核心技术，就连美国实力最强的芯片巨头，Intel都被远远地甩在了身后。
　　就在今年三月份，千年老二三星全球首发了3nm工艺，对外发布了一款3nm工艺的SRAM芯片，容量高达256GB，采用全新的GAAFET晶体管工艺。所以芯片面积只有56平方毫米，可以说这次三星真的在芯片制造工艺上领先台积电了，因为这次三星采用了最新的GAAFET工艺，而台积电则表示，在3nm工艺芯片能上会继续使用FinFET晶体管工艺。
　　但就在台积电、三星官宣了3nm工艺芯片以后，美国又一家科技巨头正式官宣，它就是IBM，这次IBM同样也会采用GAAFET晶体管技术，并且晶体管密度将达到3。33MTrmm（3。3亿个每平方毫米），相对于台积电、三星所公布的3nm工艺芯片产品，无疑技术也将会更加先进。
　　在面对友商咄咄逼人，全球芯片代工巨头台积电也不甘示弱，直接对外表示，目前台积电在1nm工艺芯片技术厂也取得了重大技术突破，这次台积电直接联合台大、美国麻省理工学院合作研究，采用全新的二维材料结合半金属铋（Bi）能达极低电阻，接近量子极限，同时芯片工艺制程技术也将突破1nm以下制程技术，成功解决了二维材料高电阻及低电流等问题，可见全球高端芯片市场战争才刚刚开始打响，似乎芯片战争也成为了全球各国无止境的技术追求。
　　最后：针对全球再次掀起一股高端芯片竞赛潮一事，各位小伙伴们，你们对此都有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！