小米看好的芯片公司复旦学霸回国创业，有望弯道超车美国企业

　　芯片，无疑是当下最热门的科技话题之一。不只是普通人关心，与之息息相关的手机巨头也在积极布局。例如小米，在经历澎湃S1失败之后，2021年3月底推出了首款自研专业影像芯片澎湃C1。从集成芯片到小芯片，雷军表示：这是小米芯片之路上的一小步。
　　除了自主研发，小米在芯片投资上动作不断。近半个月更是接连落子，先是投资了安全控制类芯片企业爱信诺航芯，紧接着入股OLED显示驱动芯片研发商欧铼德、高科技芯片公司瞻芯电子。
　　公开资料显示：瞻芯电子成立于2017年，总部位于上海自贸区临港新片区，聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域，是国内首家自主研发并掌握6英寸SiCMOSFET和SBD工艺，以及SiCMOSFET驱动芯片的公司。
　　先简单介绍一下，以碳化硅、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体产品，已被纳入国家产业科技创新相关发展规划，以全面突破关键核心技术，攻克卡脖子品种。
　　相较于第一代（硅、锗）、第二代（砷化镓、磷化铟），第三代半导体产品具有高温稳定性、高功率、抗高压、高频等优势，能够满足5G通信、快充、电动汽车、光伏等新兴领域的需求。
　　碳化硅作为典型代表，具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料，适用于新能源汽车、光伏发电等领域。由于技术壁垒较高，目前呈现出美国、日本两家独大的产业格局。但全球市场仍处于起步阶段，只要加大投入，差距并非不可追赶。
　　瞻芯电子创始人兼总经理张永熙，硕士毕业于复旦大学材料科学系，后在新泽西州立大学攻读博士，期间研发了世界上第一款碳化硅功率集成电路。四年前，他回到上海创办瞻芯电子，对标国际先进的技术，前瞻性地开发以6英寸为主的碳化硅晶圆。仅仅用了九个月，就全部打通SiCMOSFET（金属氧化物场效应晶体管）的关键工艺，并制造出第一片国产6英寸SiCMOSFET晶圆。
　　去年9月，瞻芯电子SiCMOSFET实现量产。一个月后，正式发布了工规级基于6英寸晶圆的SiCMOSFET产品，填补了中国在此领域的空白，产品性能达到国际先进水平。截至今年10月，累计量产出货逾10万颗。
　　前不久，瞻芯电子宣布量产1200V25mFullSiC（IV1B）半桥功率模块，在现有SiCMOSFET和SiCSBD基础上，进一步完善产品线。其产品已应用在充电桩、电能质量管理单元、光伏逆变器、电动汽车车载充电器以及电动汽车的电驱单元等场景之中。
　　目前，特斯拉、比亚迪等车企，阳光电源、华为等逆变器生产商已经开始将SiC应用于产品中。值得一提的是，在碳中和背景下，碳化硅器件应用空间预计将从2020年的6亿美元快速增长到2030年的100亿美元，以瞻芯电子为代表的中国企业能否抓住机遇实现弯道超车，我们且拭目以待。