长鑫存储后，国家队入局，日本芯片领袖助力

　　在芯片领域有两大类应用最为广泛，一类是承担计算功能的逻辑芯片，像CPU、GPU、AI等；另一类是承担存储功能的存储芯片，这两类在芯片市场上的份额基本相当。
　　然而，我们的芯片整体落后，存储芯片也不例外，还是主要依赖进口。不过，近年来情况正在逐步改变，涌现出了长鑫存储、长江存储等。近日，国家队也入局。
　　了解存储分类及发展历程
　　存储芯片按数据是否易失，可分为非易失性存储芯片、易失性存储芯片两大类。非易失性存储芯片分为只读存储器和FLASH，FLASH又分NORFLASH、NANDFLASH。
　　易失性存储芯片分动态随机访问存储器（DRAM）与静态随机访问存储器（SRAM）。
　　是不是一看这些分类就有点懵了，其实简单说，存储芯片就分为能够长期存储的和临时存储的两类，长期存储的重点是NANDFLASH，临时存储的重点是DRAM。
　　整个存储芯片中，NANDFLASH占41份额，DRAM占56份额。这两种加起来就占到97，其他的存储芯片总共才3。也就是说，存储芯片主要用的就是这两种。
　　存储芯片的应用非常广泛，尤其是DRAM，我们常常称之为内存条，使用率、需求度在所有关键组件中排名第一，电脑、手机、平板、工业电子、安防设备等都需要。
　　但目前的存储市场依然被国外垄断，主要是韩企三星、SK海力士和美企美光三家。
　　其实，DRAM于上世纪70年代起源于美地区，英特尔率先推出商用，之后DRAM开始热度上升，竞争开始激烈，包括德州仪器在内的美企，10年时间将英特尔挤出局。
　　就在美企内卷的时候，日本盯上了DRAM，召集东芝、日立等和对DRAM有研究的专家，坂本幸雄便是DRAM项目的带头人之一，抓住机会成为全球DRAM霸主。
　　美企内卷，日本得利，推火DRAM又被迫出局的英特尔当然不爽，于是建议制裁。
　　国家队开始硬核入局
　　后来，在英特尔创始人诺伊斯的极力游说下，美通过特殊手段对日下手，日企最终放弃了DRAM，坂本幸雄等抗议也没用，日方DRAM从此衰落，不少人才被美收编。
　　2000年之后，韩国成了美DRAM追随者，还倾全国之力支持DRAM研发，才让三星、SK海力士在存储领域迅速崛起，和美光成为存储三巨头，三家占全球94。1份额。
　　2010年之后，国内开始重点布局存储产业，借鉴全球存储成长史，全力支持发展。
　　其中，长江存储主要进军NANDFLASH，长鑫存储重点进攻DRAM。这个企业在国内存储领域最为突出，技术正在接近全球顶尖的水平，市场份额也在不断地扩大。
　　这时，国家队也出手了。近期，一家DRAM存储芯片公司成立，名叫昇维旭。它之所以备受关注，一方面因为它是深圳国资100持股，属于典型的国家队。
　　另一方面请来了日本芯片领袖人物坂本幸雄加盟，他在日本DRAM领域地位很高。
　　上边已经提到，坂本幸雄是日本当年DRAM项目的带头人之一，他见证了日本DRAM的崛起和衰落，心里一直不服气，一直想对如今称霸的美韩DRAM产业予以反击。
　　坂本幸雄表示将贡献自己的全部力量，大陆有好的发展基础，必将实现存储反超。
　　再者，深圳是培育出华为、比亚迪等领军企业的地方，有利于昇维旭DRAM产业的快速成长。另外，此次出资50亿元，深圳国资100持股，足以看出突围的决心。
　　不过，存储市场突围非常不易。因为三星、SK海力士和美光三巨头已经发展多年，市场份额占比也很大，他们也在加大投入，进一步扩大市占率，也设置了不少壁垒。
　　尽管追赶之路困难重重，但只要我们下决心去做，一步一个脚印，总能实现突围！