IT之家6月28日消息,MOSFET是一种在电池包装中的安全保护开关,近日,豪威集团全新推出两款MOSFET:业内最低内阻双N沟道MOSFETWNMD2196A和SGT80VN沟道MOSFETWNM6008。 据官方介绍,双N沟道增强型MOSFET,WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻,RSS(ON)低至1m,专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计,提供卓越的RSS(ON)的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快,阙值电压低,开关速率高,可实现更高的效率和更低的温升。 IT之家了解到,WNM600880V高功率MOSFET,采用最新一代ShieldGate技术,针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化,具备超低FOM值(开关应用重要优值系数)。WNM6008适用于DCDC转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。