芯片生产商比亚迪

　　昨天比亚迪在宁波开了一场发布会，没发新车，发了一款芯片。
　　像比亚迪这样的车企确实挺奇葩的，从数码3C的电池到汽车动力电池，再到整车制造，无所不通。
　　近日，比亚迪再次刷新了坊间对其公司业务的认知，比如说不声不响弄了个芯片。
　　这块芯片有个并不太好读的缩写IGBT，全拼和中文名是这样的InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管芯片。
　　先交代一下，这不是比亚迪的发明，你马路上见到的新能源车上都搭载了IGBT，但供应厂商无非就德、日、中三国那么几家。
　　为数不多主机厂里头自主在研发IGBT的，除了比亚迪，丰田算一个，其余基本都依赖英飞凌等供应商。
　　一般主机厂越俎代庖干了供应商的活儿，原因很简单，关键零部件不想被供应商掐住脖子，同时做到成本可控。
　　从手机PC到现在的汽车，芯片之争格外激烈，不少国产品牌喊出了国产芯的口号，为了这个目标，比亚迪在半导体行业已经努力了十余年。
　　IGBT，电动汽车的命根子
　　对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。在车内，IGBT芯片的重要性不亚于电池电芯。
　　了解电车结构的人肯定知道，电车不是想象中的接电就走，电控系统格外重要，怎么高效地运用电能是考验工程师的一个重要命题。
　　从汽车到地铁、高铁等轨道交通等等一切用电驱动的载具中，IGBT无处不在，具体由封装形式不同分为模块和单管，最基础的还是芯片晶圆。
　　很容易想象，电压越高，对于IGBT的要求也就更大。从车用的600V到轨道交通的1100V3000V，电流都需要IGBT来驾驭。
　　原理类似于喊了很多年的变频空调，在车里头，IGBT也是通过改变电流的频率来实现电机的转速，从而输出所需的动力。
　　另一方面，除了能驾驭电流，IGBT还需要保证能耗。众所周知，发热是电子元器件的致命杀手，为了保证元件能够正常运行，发热就需要散热，这也就意味着车辆需要额外的电量去维持温度。
　　一来二去，能量的损耗将大大影响电车的续航，所以从源头上抑制发热是关键。
　　无论是车辆性能还是续航表现，IGBT都扮演了非常重要的角色。目前，几乎所有的比亚迪新能源车都搭载了自主研发的IGBT，只能说全新一代唐EV百公里4。4S加速能力和等速600公里续航绝非偶然。
　　造芯很难，比亚迪发布的IGBT4。0有什么特点
　　和所有芯片一样，IGBT的研发制造同样设计门槛高、制造技术难、投资大。
　　我们来看一下官方的硬核科普
　　芯片要求：
　　IGBT芯片仅有人的指甲大小，但却要在其上蚀刻十几万乃至几十万的微观结构电路，仅能在显微镜下查看。
　　IGBT芯片设计难度高：IGBT虽然是一个开关器件，但涉及到的参数多达十几个，很多参数之间是相互矛盾，需要根据应用折衷考虑。
　　晶圆制造工艺难度大：最主要体现在薄片加工处理上。采用最新的1200VFS技术的IGBT，需要将晶圆减薄到120um（约两根头发丝直径）的厚度，再进行10余道工序加工。
　　晶圆制造的厂房洁净度要求非常高，需要一级净化。一个零点几微米的微尘掉落在晶圆上，就会造成一颗IGBT芯片失效。
　　至于加装到车里还需要考虑到模块化等等，和数码3C产品舒适的工作环境不同，车规级芯片还要应对严苛的行车工况。
　　相比市面上的主流产品，比亚迪宣称自家的IGBT4。0具备以下优势：
　　1。电流输出能力较当前市场主流的IGBT高15，支持整车具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。
　　2。同等工况下，综合损耗较当前市场主流的IGBT降低了约20，整车电耗显著降低。
　　3。温度循环寿命可以做到当前市场主流IGBT的10倍以上。
　　另一方面就是成本，比亚迪介绍，目前市面上主流的车载IGBT成本占到整车的5左右，短期内还在持续上涨。通过规模化量产，比亚迪希望进一步降低成本，拉低。
　　目前比亚迪位于宁波的半导体工厂的月产五万片晶圆，理论上能够配备五万辆新车。按照规划，这家工厂的年产能有望做到十万片，除了自给自足外，还可以提供给其他主机厂使用。
　　最后一个彩蛋是，比亚迪宣布，在材料上进一步突破，有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10。
　　SiC具备高耐压、低损耗、高效率的特性，是替代Si的第三代半导体材料
　　【来源：爱范儿】